onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 40 A, ATPAK封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
800-9487
制造商零件编号:
ATP102-TL-H
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

40 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

ATPAK

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

31 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.6V

最大功率耗散

40 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

7.3mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

34 nC @ 10 V

长度

6.5mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

高度

1.5mm

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor