IXYS , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 82 A, PLUS264, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Q3-Class系列, IXFB82N60Q3
- RS 库存编号:
- 801-1370P
- 制造商零件编号:
- IXFB82N60Q3
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计 7 件 (按管提供)*
¥1,936.34
(不含税)
¥2,188.06
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年10月05日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 7 - 12 | RMB276.62 |
| 13 + | RMB268.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-1370P
- 制造商零件编号:
- IXFB82N60Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 包装类型 | PLUS264 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.31 mm | |
| 长度 | 20.29mm | |
| 高度 | 26.59mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||
包装类型 PLUS264 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.31 mm | ||
长度 20.29mm | ||
高度 26.59mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备