onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 18.5A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
802-0998
制造商零件编号:
NTB5605PT4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

18.5A

最大漏源电压

60 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

140 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2V

最大功率耗散

88 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

9.65mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

长度

10.29mm

典型栅极电荷@Vgs

13 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

高度

4.83mm

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor