onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=2.1 A, 3针, SOT-23, MGSF1N03L系列
- RS 库存编号:
- 802-1954
- 制造商零件编号:
- MVGSF1N03LT1G
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- MVGSF1N03LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | MGSF1N03L | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 145mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 690mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.1A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 MGSF1N03L | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 145mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 690mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4mm | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.01mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor
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