IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 26 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar3系列

品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

26 A

最大漏源电压

500 V

系列

HiperFET, Polar3

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

240 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

500 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

42 nC @ 10 V

长度

16.26mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

宽度

5.3mm

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

21.46mm