IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 28 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar3系列

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包装方式:
RS 库存编号:
802-4379
制造商零件编号:
IXFH28N60P3
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

28 A

最大漏源电压

600 V

系列

HiperFET, Polar3

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

260 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

695 W

晶体管配置

最大栅源电压

-30 V、+30 V

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

50 nC @ 10 V

宽度

5.3mm

长度

16.26mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

高度

21.46mm

最低工作温度

-55 °C

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