IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 112 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, HiperFET, Polar3系列

品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

112 A

最大漏源电压

500 V

封装类型

SOT-227

系列

HiperFET, Polar3

安装类型

螺钉

引脚数目

4

最大漏源电阻值

39 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

1.5 kW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

25.07mm

每片芯片元件数目

1

长度

38.23mm

典型栅极电荷@Vgs

250 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

9.6mm