onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=280 mA, 6针, SOT-563

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805-1141
制造商零件编号:
2N7002V
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

280mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-563

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

13.5Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250mW

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

+150°C

长度

1.7mm

标准/认证

No

宽度

1.2mm

高度

0.6mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

增强模式双 MOSFET， Fairchild Semiconductor


增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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