onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=8.4 A, 3针, SOT-223, NVF6P02系列
- RS 库存编号:
- 805-1996
- 制造商零件编号:
- NVF6P02T3G
- 制造商:
- onsemi
小计（1 卷，共 10 件）*
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|---|---|---|
| 10 + | RMB8.50 | RMB85.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-1996
- 制造商零件编号:
- NVF6P02T3G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | NVF6P02 | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -8V, +8V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 8.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.4A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 NVF6P02 | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -8V, +8V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 8.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.7mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.7mm | ||
高度 1.65mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor
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