onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 8.4 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, NVF6P02系列

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包装方式:
RS 库存编号:
805-1996P
制造商零件编号:
NVF6P02T3G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-223

系列

NVF6P02

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

最大功耗 Pd

8.3W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±8 V

最高工作温度

150°C

长度

6.7mm

标准/认证

No

高度

1.65mm

宽度

3.7 mm

汽车标准

AEC-Q101

P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor


MOSFET 晶体管,ON Semiconductor