onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 10 A, MLP, 表面安装, 6引脚, FDMA905P, PowerTrench系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥30.06

(不含税)

¥33.97

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 2,020 个,准备发货
单位
每单位
每包*
10 - 740RMB3.006RMB30.06
750 - 1490RMB2.916RMB29.16
1500 +RMB2.827RMB28.27

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
806-3484
制造商零件编号:
FDMA905P
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

12V

系列

PowerTrench

包装类型

MLP

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

82mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

8 V

最大功耗 Pd

2.4W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

0.725mm

宽度

2 mm

长度

2mm

汽车标准

PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。