onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=16 A, 8针, WDFN, PowerTrench, SyncFET系列
- RS 库存编号:
- 806-3490
- 制造商零件编号:
- FDMC7208S
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB11.964 | RMB59.82 |
| 750 - 1495 | RMB11.604 | RMB58.02 |
| 1500 + | RMB11.262 | RMB56.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3490
- 制造商零件编号:
- FDMC7208S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | PowerTrench, SyncFET | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, -12V, +12V, +20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 PowerTrench, SyncFET | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, -12V, +12V, +20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术，RDS（接通）极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
相关链接
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