onsemi , 2 N型沟道 隔离式 增强型 双 N 沟道功率沟槽 MOSFET, Vds=40 V, 12 A, 电源 33, 表面安装, 8引脚, PowerTrench系列, FDMC8030
- RS 库存编号:
- 806-3504
- 制造商零件编号:
- FDMC8030
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥67.13
(不含税)
¥75.855
(含税)
最后的 RS 库存
- 385 件将从其他地点发货
- 最后 2,150 件在 2025年12月25日 发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB13.426 | RMB67.13 |
| 25 - 95 | RMB13.09 | RMB65.45 |
| 100 - 245 | RMB12.76 | RMB63.80 |
| 250 - 495 | RMB12.436 | RMB62.18 |
| 500 + | RMB12.126 | RMB60.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 806-3504
- 制造商零件编号:
- FDMC8030
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 双 N 沟道功率沟槽 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | 电源 33 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 标准/认证 | Lead-Free and RoHS | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 双 N 沟道功率沟槽 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 电源 33 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
标准/认证 Lead-Free and RoHS | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
SEMis PowerTrench ® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅电荷，小反向恢复和软反向恢复主体二极管，有助于在交流 / 直流电源中快速切换同步整流。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。