onsemi , 2 N型沟道隔离式增强型双 N 沟道功率沟槽 MOSFET, Vds=40 V, 12 A, 电源 33, 表面安装, 8引脚, PowerTrench系列

RS 库存编号:: 806-3504P
制造商零件编号:: FDMC8030
制造商:: onsemi

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RS 库存编号:: 806-3504P
制造商零件编号:: FDMC8030
制造商:: onsemi

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	双 N 沟道功率沟槽 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	PowerTrench
	包装类型	电源 33
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	10mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	1.9W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	30nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	隔离式
	标准/认证	Lead-Free and RoHS
	长度	3mm
	高度	0.75mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型双 N 沟道功率沟槽 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 PowerTrench
	包装类型电源 33
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 10mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 1.9W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置隔离式
	标准/认证 Lead-Free and RoHS
	长度 3mm
	高度 0.75mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

SEMis PowerTrench ® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅电荷，小反向恢复和软反向恢复主体二极管，有助于在交流 / 直流电源中快速切换同步整流。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管

Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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