onsemi 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 4.5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FDP5N50NZ, UniFET系列
- RS 库存编号:
- 806-3560
- 制造商零件编号:
- FDP5N50NZ
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | UniFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25, -25V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 16.3mm | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.5A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 UniFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25, -25V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.67mm | ||
高度 16.3mm | ||
宽度 4.7mm | ||
UniFET™ N 沟道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高压 MOSFET 系列。它在平面型 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量承受能力。此外，内部栅源极 ESD 二极管使 UniFET-II™ MOSFET 能够承受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，例如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
MOSFET 晶体管，ON Semi
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ON Semi MOSFET 器件通过降低电压尖峰与过冲、减少结电容及反向恢复电荷、无需额外外部元件等优势，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。