onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=600 V, 5.5 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚

RS 库存编号:: 807-0710
制造商零件编号:: FDU7N60NZTU
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=600 V, 5.5 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:: 807-0710
制造商零件编号:: FDU7N60NZTU
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	5.5 A
	最大漏源电压	600 V
	封装类型	IPAK (TO-251)
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	1.25 Ω
	通道模式	增强
	最小栅阈值电压	3V
	最大功率耗散	90 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-25 V、+25 V
	最高工作温度	+150 °C
	长度	6.8mm
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	宽度	2.5mm
	典型栅极电荷@Vgs	13 nC @ 10 V
	最低工作温度	-55 °C
	系列	UniFET
	高度	7.57mm

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 5.5 A
	最大漏源电压 600 V
	封装类型 IPAK (TO-251)
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 1.25 Ω
	通道模式增强
	最小栅阈值电压 3V
	最大功率耗散 90 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -25 V、+25 V
	最高工作温度 +150 °C
	长度 6.8mm
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	宽度 2.5mm
	典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V
	最低工作温度 -55 °C
	系列 UniFET
	高度 7.57mm

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管

Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。