onsemi N型沟道 增强型 场效应晶体管, Vds=60 V, 400 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, BS270, BS270系列

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RS 库存编号:
807-5184
制造商零件编号:
BS270
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

场效应晶体管

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

400mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-92

系列

BS270

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

625mW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.93 mm

高度

4.7mm

标准/认证

No

长度

4.7mm

汽车标准

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor


增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。