onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 1.33 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, FQD3P50TM, QFET系列
- RS 库存编号:
- 808-9010
- 制造商零件编号:
- FQD3P50TM
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥70.68
(不含税)
¥79.87
(含税)
有库存
- 40 件将从其他地点发货
- 另外 6,400 件在 2025年12月24日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | RMB7.068 | RMB70.68 |
| 630 - 1240 | RMB6.855 | RMB68.55 |
| 1250 + | RMB6.649 | RMB66.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 808-9010
- 制造商零件编号:
- FQD3P50TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.9Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 正向电压 Vf | -5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| Distrelec Product Id | 304-45-656 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.33A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 QFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.9Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
正向电压 Vf -5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.39mm | ||
Distrelec Product Id 304-45-656 | ||
汽车标准 否 | ||
Fairchild Semiconductor QFET® P 通道 MOSFET
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供出色的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比同类平面 MOSFET 设备更高的性能系数 (FOM)。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。