STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STB30NF20, STripFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
810-7499
制造商零件编号:
STB30NF20
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-263

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

最大功耗 Pd

125W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

长度

10.4mm

标准/认证

No

宽度

9.35 mm

高度

4.6mm

汽车标准

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics