Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, Id=3.1 A, 3针, TO-252, IRFR320系列

RS 库存编号:: 812-0626P
制造商零件编号:: IRFR320TRPBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, Id=3.1 A, 3针, TO-252, IRFR320系列

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RS 库存编号:: 812-0626P
制造商零件编号:: IRFR320TRPBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	3.1A
	最大漏源电压 Vd	400V
	系列	IRFR320
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.8Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	42W
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	20nC
	正向电压 Vf	1.6V
	最高工作温度	150°C
	高度	2.38mm
	长度	6.73mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	6.22mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 3.1A
	最大漏源电压 Vd 400V
	系列 IRFR320
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.8Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 42W
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC
	正向电压 Vf 1.6V
	最高工作温度 150°C
	高度 2.38mm
	长度 6.73mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 6.22mm
	汽车标准否

Vishay IRFR320 系列功率 MOSFET，400V 漏源电压，3.1A 连续漏极电流 - IRFR320TRPBF

该功率MOSFET是一款高压开关晶体管，适用于电源转换和控制电路的表面贴装电路板组装。它作为N沟道增强型器件运行，专为承受较高的漏源电压和适度的连续电流而设计，适用于工业和消费电子领域的开关及能源管理应用。

特性和优点：

• 400V最大漏源电压，支持高压开关能力
• 3.1A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 1.8Ω 最大导通电阻，可降低负载条件下的导通损耗
• 42W最大功耗，支持持续热管理
• 20nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 20V栅源极限电压，确保与标准栅极驱动器兼容

应用

• 适用于开关电源和转换器
• 适用于低功耗系统的电机控制
• 用于工业设备的初级侧电源开关
• 可用于电子负载保护电路
• 适用于电路板的高压继电器更换

预期的工作温度范围是多少？

该器件规定的工作温度范围为-55°C至150°C，可在宽温度环境中使用。

该组件如何包装以便于组装？

它采用三引脚TO-252表面贴装封装，适用于自动化PCB贴装。

需要考虑哪些栅极驱动因素？

在调整驱动电流和开关速度时，驱动器应遵守 20V 的最大栅源额定值，并考虑典型的 20nC 栅极电荷。

这适用于车规级设计吗？

该部件不符合汽车行业标准，因此不适用于经认证的汽车系统。