Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=4.8 A, 3针, TO-252, IRFR系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB61.00

(不含税)

RMB68.90

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 1,750 个，准备发货

单位
每单位
每包*
10 - 490RMB6.10RMB61.00
500 - 990RMB5.916RMB59.16
1000 +RMB5.74RMB57.40

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
812-0629
制造商零件编号:
IRFR220TRPBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.8A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-252

系列

IRFR

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

800mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.8V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

42W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

2.38mm

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


相关链接