Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=760 mA, 6针, SC-89, Si1077X系列

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包装方式：
RS 库存编号:
812-3050
制造商零件编号:
SI1077X-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

760mA

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si1077X

包装类型

SC-89

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

244mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

236mW

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.43nC

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

12V

最高工作温度

150°C

长度

1.7mm

宽度

1.2mm

标准/认证

No

高度

0.6mm

汽车标准

否

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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