Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.9 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, Si1416EDH-T1-GE3, Si1416EDH系列
- RS 库存编号:
- 812-3063
- 制造商零件编号:
- Si1416EDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥36.64
(不含税)
¥41.40
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1,840 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB1.832 | RMB36.64 |
| 760 - 1480 | RMB1.777 | RMB35.54 |
| 1500 + | RMB1.724 | RMB34.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3063
- 制造商零件编号:
- Si1416EDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SC-88 | |
| 系列 | Si1416EDH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 77mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.9A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SC-88 | ||
系列 Si1416EDH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 77mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最大功耗 Pd 2.8W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.2mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN