Vishay P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=700 mA, 6针, SC-70-6, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 812-3094P
制造商零件编号:: SI1553CDL-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=700 mA, 6针, SC-70-6, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 812-3094P
制造商零件编号:: SI1553CDL-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型, N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	700mA
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	TrenchFET
	包装类型	SC-70-6
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	1.48mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	12V, -12V
	最大功耗 Pd	340mW
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1.2nC
	最高工作温度	+150°C
	晶体管配置	隔离式
	标准/认证	No
	高度	1mm
	宽度	1.35mm
	长度	2.2mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型, N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 700mA
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 TrenchFET
	包装类型 SC-70-6
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 1.48mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 12V, -12V
	最大功耗 Pd 340mW
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.2nC
	最高工作温度 +150°C
	晶体管配置隔离式
	标准/认证 No
	高度 1mm
	宽度 1.35mm
	长度 2.2mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Vishay TrenchFET 系列 MOSFET，最大漏源电压 20V，最大连续漏极电流 700mA - SI1553CDL-T1-GE3

这款 MOSFET 是一款紧凑型双通道表面贴装晶体管，专为小外形组件的开关和模拟应用而设计。它将P沟道和N沟道器件集成在单个芯片上，使采用低压电源轨和信号级开关的设计人员能够实现互补开关拓扑并简化占位面积要求。

特性和优点：

• 导通电阻低至1.48mΩ，可降低导通损耗
• 典型栅极电荷为 1.2nC，可实现更快的栅极驱动响应速度
• 700mA连续漏电流额定值，适用于中等负载切换
• 最大Vds为20V，支持低电压电源域
• 功耗能力为 340mW，可管理热负载

应用

• 适用于电池管理和配电电路
• 适用于便携式仪器的负载切换
• 用于电平移位和互补FET级应用
• 可用于低压电机控制驱动器级应用

它采用哪种封装方式？有多少个引脚？

它采用六引脚 SC-70 表面贴装封装，既能节省电路板面积，又能为双器件提供独立的引脚。

设计应遵守的栅极电压限值是多少？

栅源电压必须控制在±12V以内，以防止器件受损并确保安全运行。

在部署时，预期的工作温度范围是多少？

它可承受 -55°C 至 150°C 的宽环境温度范围，支持严苛的热环境。

该器件的每个芯片是否包含多个元件？这对布局有何影响？

该芯片集成了两个分立元件，能够为互补电路实现镜像布线，并减少元件数量。