Vishay P型沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=1.1 A, 6针, SC-88, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 812-3108
- 制造商零件编号:
- SI1967DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 50 件）*
RMB150.75
(不含税)
RMB170.35
(含税)
有库存
- 另外 150 件在 2026年9月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | RMB3.015 | RMB150.75 |
| 750 - 1450 | RMB2.925 | RMB146.25 |
| 1500 + | RMB2.837 | RMB141.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3108
- 制造商零件编号:
- SI1967DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SC-88 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 790mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.25W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.1A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SC-88 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 790mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.6nC | ||
最大功耗 Pd 1.25W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.35mm | ||
高度 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET 系列功率 MOSFET，20V 最大漏源电压，1.1A 最大连续漏极电流 - SI1967DH-T1-GE3
这款功率 MOSFET 是一款表面安装 P 通道晶体管，专为紧凑型电子组件中的低压开关和模拟功能而设计。它作为增强模式设备运行，设计用于需要绝缘晶体管配置和中等连续电流处理能力的应用。该组件采用小型 SC-88 封装，适用于密集布局。
特性和优点：
• 20V 漏源额定值可实现低压开关
• 1.1A 连续漏极电流支持稳定负载
• 790mΩ Rds(on) 可最大限度减少传导损耗
• 2.6nC 典型栅极电荷，可实现更快的栅极转换
• 1.25W 功耗可应对中等热应力
• 1.1A 连续漏极电流支持稳定负载
• 790mΩ Rds(on) 可最大限度减少传导损耗
• 2.6nC 典型栅极电荷，可实现更快的栅极转换
• 1.25W 功耗可应对中等热应力
应用
• 适用于便携式设备的电池保护电路
• 适用于紧凑型电源模块中的负载开关
• 用于模拟前端的电平转换级
• 可用于狭小 PCB 空间内的双通道开关
• 适用于紧凑型电源模块中的负载开关
• 用于模拟前端的电平转换级
• 可用于狭小 PCB 空间内的双通道开关
组装需要采用哪种安装方式？
它专为标准焊垫上的表面安装组件而设计，与 SC-88 尺寸兼容。
它包含多少个有源晶体管元件？
该设备每个芯片包含两个元件，可在设计中实现双重功能或互补路由。
设计人员应遵守哪些栅极电压限制？
最大栅源电压额定值为 8V，不得超过该值以避免设备应力。
它在运行过程中可承受的温度范围是多少？
其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可适应广泛的环境条件。
相关链接
- Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 1.1 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1967DH-T1-GE3
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 0.52 A, US, 表面安装, 6引脚, SI1411DH-T1-GE3, TrenchFET系列
- Vishay , 2 N型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 1.3 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1922EDH-T1-GE3
- Vishay , 2 N沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 1.3 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1922EDH-T1-GE3
- Vishay P型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 4.7 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI9407BDY-T1-GE3, Si9407BDY系列
- Vishay N沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=30 V, 30 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4164DY-T1-GE3, Si4164DY系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 8 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, SI3477DV-T1-GE3, TrenchFET系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 8 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, SI3493DDV-T1-GE3, TrenchFET系列