Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 1.1 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1967DH-T1-GE3

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制造商零件编号:
SI1967DH-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.1A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

SC-88

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

790mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.25W

最大栅源电压 Vgs

8V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.6nC

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

长度

2.2mm

高度

1mm

宽度

1.35mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay TrenchFET系列功率MOSFET,20 V最大漏源电压,1.1 A最大连续漏电流 - SI1967DH-T1-GE3


此功率 MOSFET 是 P 通道表面贴装晶体管,设计用于紧凑型电子系统中的低电压开关。它作为增强模式设备运行,专为需要适度电流处理和小尺寸的板级电源控制而设计。

特性和优点：


• 20 V 漏源额定值可实现低电压系统部署 • 1. 1A 连续漏电流支持轻型电源切换 • 790 mΩ 低 Rds(on) 可减少运行过程中的导电损耗 • 2.6nC 典型栅极电荷,可实现更快的栅极转换 • 1.25W 功耗可在小型组件中管理热负载 • 双元件隔离晶体管,可实现对接开关排列

应用


• 适用于便携式设备中的电池管理和电源导轨切换 • 适用于工业控制模块的负载切换 • 用于嵌入式系统中的反极性保护 • 可用于混合电压电路中的信号电平移动

在设计 PCB 时,我应该考虑哪种封装?


该设备采用 6‐Pin SC‐88 SMD 封装,占用空间紧凑,适用于高密度板。

温度对运行限制有何影响?


该组件专为在 -55°C 至 150°C 温度范围内运行,可定义允许的环境和接点环境,以实现可靠的开关。

此组件是否可用于汽车系统?


它不符合汽车标准,因此应在使用前根据车辆认证要求进行合适性评估。

控制信号允许的栅极电压范围是多少?


栅极驱动不得超过 8V 栅极至源极限,以避免设备过度压力。

芯片上有多少晶体管元件,它们是什么配置?


该芯片包含两个隔离元件,配置用于实现对接或独立开关排列。

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