Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 2.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2337DS-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 812-3123
- 制造商零件编号:
- SI2337DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB4.169 | RMB83.38 |
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| 1500 + | RMB3.923 | RMB78.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 812-3123
- 制造商零件编号:
- SI2337DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.303Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21 | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.303Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最低工作温度 -50°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.04mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21 | ||
高度 1.02mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN