Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 2.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
812-3123P
制造商零件编号:
SI2337DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.2A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

TrenchFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.303Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

最大功耗 Pd

2.5W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-50°C

最高工作温度

150°C

宽度

1.4 mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

高度

1.02mm

长度

3.04mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor