Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2366DS-T1-GE3, Si2366DS系列
- RS 库存编号:
- 812-3132
- 制造商零件编号:
- SI2366DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI2366DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2366DS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.1W | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.8A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2366DS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.1W | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.02mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 1.4mm | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si2366DS系列MOSFET,30 V最大漏源电压,5.8 A最大连续漏电流 - SI2366DS-T1-GE3
这款 MOSFET 是一款低电压 N 通道半导体设备,专为紧凑型电子组件中的表面安装电源开关而设计。它可在中等电压范围内工作,并支持极端温度,因此适用于需要小尺寸和受控开关行为的密集板级设计。
特性和优点：
• 42 mΩ Rds(on),可在开关过程中提供低传导损耗
• 5.8A 连续漏电流支持中等负载电流
• 30 V 排放源额定值可实现低电压电源导轨
• 6.4nC 典型栅极电荷允许快速栅极转换
• 2.1W 功耗可实现持久的热负载
• 150°C的最高工作温度可承受高温环境
• 5.8A 连续漏电流支持中等负载电流
• 30 V 排放源额定值可实现低电压电源导轨
• 6.4nC 典型栅极电荷允许快速栅极转换
• 2.1W 功耗可实现持久的热负载
• 150°C的最高工作温度可承受高温环境
应用
• 适用于自动化设备中的直流降压转换器
• 特别适用于控制和接口模块的负载切换
• 用于小型机电系统中的电机驱动器级
• 可用于电池保护和电源路径管理
• 与需要表面贴装部件的紧凑型消费电源配合使用
• 特别适用于控制和接口模块的负载切换
• 用于小型机电系统中的电机驱动器级
• 可用于电池保护和电源路径管理
• 与需要表面贴装部件的紧凑型消费电源配合使用
它在 PCB 组装时需要哪种安装方式?
它采用三针封装,用于表面贴装,与标准 SOT-23 尺寸兼容。
设计人员应期望的栅极电压耐久性是多少?
该设备可耐受高达 20 V 的栅极-源电压,因此栅极驱动必须在该限制范围内。
它能在多大环境温度范围内工作?
它的特点是工作温度低至-55°C和高达150°C,可实现宽散热。
布局时需要考虑哪些机械封装尺寸?
该封装长度约为 3.04 mm,宽度约为 1.4 mm,高度约为 1.02 mm,用于占地面积和间隙规划。
是否需要注意环境特性或法规特性?
该组件符合 RoHS 减少危险物质的要求。