Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2366DS-T1-GE3, Si2366DS系列

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RS 库存编号:
812-3132
制造商零件编号:
SI2366DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.8A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si2366DS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

42mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

2.1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.4nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.85V

最高工作温度

150°C

宽度

1.4 mm

高度

1.02mm

标准/认证

No

长度

3.04mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor