Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=5.8 A, 3针, SOT-23, Si2366DS系列
- RS 库存编号:
- 812-3132P
- 制造商零件编号:
- SI2366DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 812-3132P
- 制造商零件编号:
- SI2366DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2366DS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.1W | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 5.8A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2366DS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.1W | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
宽度 1.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si2366DS系列MOSFET,30 V最大漏源电压,5.8 A最大连续漏电流 - SI2366DS-T1-GE3
该MOSFET是一款紧凑型N沟道增强型器件，专为低压电子电路中的表面贴装开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要高效导通与适度开关的电源管理场景。该封装采用常见的SOT-23外形，适用于密集组装。
特性和优点：
• 最大漏极电压30V，支持低压功率开关
• 持续漏极电流5.8A，用于持续电流处理
• 低导通电阻 42mΩ，降低了导通损耗
• 正向电压 0.85V，支持高效驱动条件
• 典型栅极电荷为6.4nC，可实现受控开关能量
• 功耗 2.1W，适用于热限制应用
• 持续漏极电流5.8A，用于持续电流处理
• 低导通电阻 42mΩ，降低了导通损耗
• 正向电压 0.85V，支持高效驱动条件
• 典型栅极电荷为6.4nC，可实现受控开关能量
• 功耗 2.1W，适用于热限制应用
应用
• 适用于USB电源分配和负载切换
• 适用于DCDC转换器输出级应用
• 用于电池管理和充电电路
• 可用于电机驱动器低侧开关
• 适用于消费电子产品的电源轨保护
• 适用于DCDC转换器输出级应用
• 用于电池管理和充电电路
• 可用于电机驱动器低侧开关
• 适用于消费电子产品的电源轨保护
自动化组装应考虑采用哪种封装形式？
它采用SOT-23表面贴装封装，与标准拾放和回流焊工艺兼容。
它是否能承受恶劣的热环境？
它的额定工作温度范围为-55°C至150°C，可适应各种环境温度和较高的结温。
允许的栅极驱动幅度是多少？
该器件在栅极和源极之间可承受高达±20V的电压，许在此范围内使用多种驱动电压。
PCB封装布线可用的引脚数量是多少？
它采用小信号MOSFET典型的三针配置，简化了焊盘布局和布线。