Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, SI3433CDV-T1-GE3, Si3433CDV系列

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RS 库存编号:
812-3142
制造商零件编号:
SI3433CDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

Si3433CDV

包装类型

TSOP

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

3.3W

最大栅源电压 Vgs

8 V

正向电压 Vf

-0.8V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

宽度

1.7 mm

标准/认证

No

长度

3.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor