Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2 A, TSOP封装, 表面贴装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 812-3170
- 制造商零件编号:
- SI3900DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 812-3170
- 制造商零件编号:
- SI3900DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 830 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 830 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor