Vishay N沟道增强型TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=30 A, 8针, SOIC, Si4164DY系列
- RS 库存编号:
- 812-3198P
- 制造商零件编号:
- SI4164DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- 制造商零件编号:
- SI4164DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | TrenchFET 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | Si4164DY | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0032Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.72V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC JS709A, RoHS | |
| 宽度 | 4mm | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 TrenchFET 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 Si4164DY | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0032Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.72V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC JS709A, RoHS | ||
宽度 4mm | ||
高度 1.55mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||