Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=12 A, 8针, SOIC, Si4178DY系列
- RS 库存编号:
- 812-3205P
- 制造商零件编号:
- SI4178DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SI4178DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | Si4178DY | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25V, +25V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 Si4178DY | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
最大栅源电压 Vgs -25V, +25V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5mm | ||
高度 1.55mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si4178DY 系列 MOSFET,30 V 最大漏源电压,12 A 最大连续漏电流 - SI4178DY-T1-GE3
该MOSFET是一款表面贴装N沟道增强型器件，专为紧凑型电子系统中的电源开关和管理而设计。 它提供中等电压处理和高连续电流能力，适用于需要高效高电流开关和耐热性的应用。该元件符合 RoHS 标准，适用于工商业设计的板级安装。
特性和优点：
• 30V漏极额定值，支持中压开关应用
• 12A 连续电流，支持高电流负载控制
• 33mΩ导通电阻，可降低电源路径中的导通损耗
• 7.5nC 典型栅极电荷，可实现快速栅极转换
• 5W 功耗有助于管理小型封装的热负载
• 12A 连续电流，支持高电流负载控制
• 33mΩ导通电阻，可降低电源路径中的导通损耗
• 7.5nC 典型栅极电荷，可实现快速栅极转换
• 5W 功耗有助于管理小型封装的热负载
应用
• 适用于DCDC转换器输出级应用
• 适用于电池管理和配电
• 与电机驱动器配合使用，适用于紧凑型执行器
• 可用于电信设备的负载切换
• 适用于电池管理和配电
• 与电机驱动器配合使用，适用于紧凑型执行器
• 可用于电信设备的负载切换
设计人员必须遵守哪些栅极电压限制？
该器件在栅极和源极之间可承受高达25V的电压，因此栅极驱动器必须保持在该限值以内，以避免栅氧化层承受应力。
热性能对于PCB布局决策有何影响？
对于 5W 耗散额定值，设计人员应在 SOIC 封装下方提供足够的铜面积和散热通孔，以改善散热并将结温保持在限制范围内。
它能在什么环境温度范围内运行？
它能在 -55°C 至 150°C 的温度范围内可靠运行，这一特性为面临极端温差的应用选型提供了依据。
哪些封装和安装方面的考虑会影响组装？
该器件采用SOIC-8表贴封装，整体外形高度为1.55mm，因此必须调整钢网设计和焊膏量，以确保焊点的一致性。