Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.2 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, Si4431CDY系列

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包装方式:
RS 库存编号:
812-3215P
制造商零件编号:
SI4431CDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7.2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

Si4431CDY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

49mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-0.71V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最大功耗 Pd

4.2W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

5mm

标准/认证

No

高度

1.55mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor