Vishay N型, P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=6.8 A, 8针, SOIC, Si4599DY系列

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包装方式：
RS 库存编号:
812-3233
制造商零件编号:
SI4599DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型, P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.8A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

Si4599DY

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.045Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

3.1W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最大栅源电压 Vgs

20V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

宽度

4mm

标准/认证

JEDEC JS709A, RoHS

高度

1.55mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双N/P通道MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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