Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10.4 A, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 814-1213
- 制造商零件编号:
- SIA449DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB2.719 | RMB54.38 |
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| 1500 + | RMB2.558 | RMB51.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1213
- 制造商零件编号:
- SIA449DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 10.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 38 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 19 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| 长度 | 2.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2.15mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 10.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 TrenchFET | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 38 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 19 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V | ||
长度 2.15mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2.15mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen III，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor