Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 12 A, US, 表面安装, 6引脚, SIA462DJ-T1-GE3, SiA462DJ系列

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制造商零件编号:
SIA462DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

US

系列

SiA462DJ

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.018Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

19W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

高度

0.8mm

标准/认证

Lead (Pb)-Free

长度

2.15mm

宽度

2.15 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor