Vishay , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=12 V, 4.5 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SIA517DJ-T1-GE3

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包装方式:
RS 库存编号:
814-1225
制造商零件编号:
SIA517DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型, N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.5A

最大漏源电压 Vd

12V

系列

TrenchFET

包装类型

SC-70

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

170mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

150°C

最大功耗 Pd

6.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.7nC

最高工作温度

-55°C

晶体管配置

隔离式

高度

0.8mm

标准/认证

No

长度

2.15mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

双N/P通道MOSFET,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor