Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 20 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SiHG20N50C系列

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包装方式:
RS 库存编号:
814-1266P
制造商零件编号:
SIHG20N50C-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

500V

系列

SiHG20N50C

包装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.27Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±30 V

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

76nC

最大功耗 Pd

250W

最高工作温度

150°C

高度

20.82mm

宽度

5.31 mm

标准/认证

RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21

长度

15.87mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor