Vishay N沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 15.5 A, PowerPAK SO封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 814-1291
- 制造商零件编号:
- SIRA18DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
不可供应
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- 制造商零件编号:
- SIRA18DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 15.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 12 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 14.7 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V，+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14.3 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5.99mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 15.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PowerPAK SO | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 12 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 14.7 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V，+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5.99mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 TrenchFET | ||
高度 1.12mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，TrenchFET Gen IV，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor