Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 35 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SIS415DNT-T1-GE3, TrenchFET Gen III系列
- RS 库存编号:
- 814-1304
- 制造商零件编号:
- SIS415DNT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 20 件）*
¥83.70
(不含税)
¥94.58
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,880 个，准备发货
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 20 + | RMB4.185 | RMB83.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-1304
- 制造商零件编号:
- SIS415DNT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET Gen III | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0095Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 55.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET Gen III | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0095Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||