Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 23 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

可享批量折扣

小计 760 件 (以卷装提供)*

¥3,316.64

(不含税)

¥3,747.56

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 4,320 个,准备发货
单位
每单位
760 - 1480RMB4.364
1500 +RMB4.233

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
814-1323P
制造商零件编号:
SISS27DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

23A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

92nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

57W

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

标准/认证

No

宽度

3.3 mm

高度

0.78mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor