Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 9 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHF630STRL-GE3, SiHF630S系列

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包装方式:
RS 库存编号:
815-2623P
制造商零件编号:
SIHF630STRL-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

SiHF630S

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

400mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

74W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2V

最高工作温度

150°C

宽度

9.65 mm

标准/认证

No

长度

10.67mm

高度

4.83mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor