Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=2 A, 3针, TO-263, SiHF9620S系列
- RS 库存编号:
- 815-2660P
- 制造商零件编号:
- SIHF9620S-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
RMB134.14
(不含税)
RMB151.58
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年6月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 + | RMB6.707 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 815-2660P
- 制造商零件编号:
- SIHF9620S-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | SiHF9620S | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -7V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 SiHF9620S | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -7V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 9.65mm | ||
长度 10.67mm | ||
高度 4.83mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN