Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 4 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHF9630STRL-GE3, SiHF9630S系列
- RS 库存编号:
- 815-2663
- 制造商零件编号:
- SIHF9630STRL-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥81.10
(不含税)
¥91.60
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月10日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | RMB8.11 | RMB81.10 |
| 200 - 390 | RMB7.867 | RMB78.67 |
| 400 + | RMB7.63 | RMB76.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 815-2663
- 制造商零件编号:
- SIHF9630STRL-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | SiHF9630S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -6.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 SiHF9630S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -6.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN