Nexperia P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 200 mA, SOT-323, 贴片安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
816-0582P
制造商零件编号:
NX3008PBKW,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

通道类型

P

最大连续漏极电流

200 mA

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOT-323

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

6.5 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.1V

最小栅阈值电压

0.6V

最大功率耗散

830 mW

晶体管配置

最大栅源电压

-8 V、+8 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

0.55 nC @ 4.5 V

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

最低工作温度

-55 °C

高度

1mm

COO (Country of Origin):
MY

P 通道 MOSFET,Nexperia


MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors