Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 4针, LFPAK

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包装方式:
RS 库存编号:
816-6969P
制造商零件编号:
PSMN1R5-30YLC,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

65nC

最大功耗 Pd

179W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

4.1mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET ,高达 30V


MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors


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