Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 6.5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI4909DY-T1-GE3

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818-1302
制造商零件编号:
SI4909DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

6.5A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOIC

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

34mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41.5nC

最大功耗 Pd

3.2W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

标准/认证

No

长度

5mm

高度

1.55mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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