Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9.9 A, PowerPAK ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5419DU-T1-GE3, Si5419DU系列
- RS 库存编号:
- 818-1312
- 制造商零件编号:
- SI5419DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 包，共 20 件）*
¥50.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 + | RMB2.505 | RMB50.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-1312
- 制造商零件编号:
- SI5419DU-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK ChipFET | |
| 系列 | Si5419DU | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -0.85V | |
| 最大功耗 Pd | 31W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.98 mm | |
| 长度 | 3.08mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.9A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK ChipFET | ||
系列 Si5419DU | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -0.85V | ||
最大功耗 Pd 31W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.98 mm | ||
长度 3.08mm | ||
高度 0.85mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN