Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9.9 A, PowerPAK ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5419DU-T1-GE3, Si5419DU系列

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818-1312
Mfr. Part No.:
SI5419DU-T1-GE3
Brand:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9.9A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK ChipFET

系列

Si5419DU

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

33mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-0.85V

最大功耗 Pd

31W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

0.85mm

标准/认证

No

长度

3.08mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor